真空滅弧室如何提高內(nèi)部絕緣水平
本文作者:大禹漢光 發(fā)布時間:2015-10-15
目前,真空滅弧室有小型化的趨勢,而這也突出了電場的分布的重要性,真空滅弧室內(nèi)部電氣間隙縮小后仍需承受標準所規(guī)定的絕緣電壓,這就需要對內(nèi)部電場進行優(yōu)化分析與測算,借助計算機分析軟件對開滅弧室部結(jié)構(gòu)進行了多次電場計算,對內(nèi)部各部件結(jié)構(gòu)進行多次修改設(shè)計,優(yōu)化后的內(nèi)部電場分布均勻,降低了瓷殼內(nèi)表面沿面的電場強度及三相界面的電場強度,消除了主屏蔽罩兩端口處的尖峰電場,改善了屏蔽罩的均壓作用。
另外還對主屏蔽罩與導(dǎo)電桿之間的間隙進行了改進。改進后觸頭間隙中的電場強度有了一定程度的降低,進一步緩解了主間隙間的電場應(yīng)力,提高了介質(zhì)恢復(fù)速度。
通過軟件的分析不斷的對內(nèi)部各零部件尺寸、形狀、位置等進行調(diào)整,最終的結(jié)果是使滅弧室內(nèi)部各處電場強度盡量分布均勻,消除各處可能出現(xiàn)的尖端電場,以有效地降低瓷殼內(nèi)表面沿面的電場強度及三相界面的電場強度,從而提高產(chǎn)品的絕緣強度及弧后介質(zhì)恢復(fù)速度。優(yōu)化設(shè)計后盡可能使得真空滅弧室內(nèi)中間屏蔽罩上的電位為50%,動靜端兩端對稱分布,從圖中可見電場分布基本均勻,三相界面處的得到了有效的屏蔽,無電場集中現(xiàn)象,這就有效的保證了體積減小后對電壓的耐受能力。
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